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BSM25GD120DN2E3224

EUPEC

BSM25GD120DN2E3224

O BSM25GD120DN2E3224 é um módulo IGBT da família dos semicondutores.O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.

 

Features

– Power module- 3-phase full-bridge- Including fast free-wheel diodes- Package with insulated metal base plate- BSM25GD120DN2E3224 ECONOPACK 2K 1200V 35A

 

BSM25GD120DN2E3224 

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